无线电电子学论文_基于三维模型的NPN双极型晶

文章摘要:为更加迅速可靠地评估星用双极型晶体管抗电离辐射损伤性能，建立了三维NPN晶体管模型，并对其电离辐射效应进行了数值模拟。仿真计算了电离辐射在晶体管中产生的氧化物正电荷陷阱以及界面陷阱，以此模拟不同总剂量、剂量率电离辐照对晶体管的损伤；以漂移扩散模型计算了晶体管典型性能的响应，验证了晶体管的总剂量效应和低剂量率损伤增强效应。结果表明晶体管对电离辐射敏感的区域位于基区和发射结区附近的Si/SiO₂界面，从Gummel曲线提取的归一化增益发现，电离辐射损伤可能使晶体管增益降低50%以上，这对晶体管性能影响很大。该方法可以在降低成本、缩短周期的前提下，为晶体管抗电离辐射可靠性评估提供合理的技术支撑和可借鉴的理论数据。

文章关键词:NPN双极型晶体管,三维模型,总剂量效应,低剂量率损伤增强效应,仿真模拟,

项目基金:国家自然科学基金项目（61834004、61701505）,

论文作者:陕宇皓 刘延飞 郑浩 彭征 

作者单位:西安高新技术研究所 

论文DOI: 10.19623/j.cnki.rpsse.20210909.001

论文分类号: TN322.8

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