无线电电子学论文_基于0.18μm CMOS加固工艺的

文章目录

1 引言

2 辐射加固方案

2.1 总剂量加固方案

2.2 单粒子效应加固方案

3 抗辐射单元库开发

3.1 单元库规格制定

3.2 单元逻辑及版图设计

3.3 单元特征化及布局布线文件抽取

3.4 单元库设计套件质量保证

3.5 硅验证

4 结论

文章摘要:抗辐射单元库是快速完成抗辐射数字电路设计的基础。基于0.18μm CMOS加固工艺总剂量及单粒子效应加固策略,从单元库规格制定、逻辑与版图设计、单元库特征参数提取及布局布线文件抽取、单元库设计套件质量保证到最终硅验证,完成了抗辐射单元库的全流程开发。抗辐射单元库在速度、面积、功耗及抗辐射性能4个方面表现出良好的均衡性,具有广泛的应用前景。

文章关键词:

论文DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2021.0817

论文分类号:TN432

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