材料科学论文_三维碳化硅纳米线增强的碳化硅陶
文章摘要:碳化硅纳米线具有优异的电磁吸收性能，三维网络结构可以更好地使电磁波在空间内被多次反射和吸收。通过抽滤的方法制备得到体积分数20%交错排列的碳化硅纳米线网络预制体，随后对预制体进行热解炭界面和碳化硅基体的制备。热解炭界面和碳化硅基体采用化学气相渗透工艺制备，并通过化学气相渗透和前驱体浸渍热解工艺得到致密的SiCNWs/SiC陶瓷基复合材料。甲烷和三氯甲基硅烷分别是热解炭和碳化硅的前驱体，随着热解碳质量增重从21.3%到29.5%，多孔SiCNWs预制体电磁屏蔽效率均值在8～12 GHz （X）波段从9.2 dB增加到64.1 dB。13%质量增重的热解碳界面修饰的SiCNWs/SiC陶瓷基复合材料在X波段平均电磁屏蔽效率达到37.8 dB。所获得SiCNWs/SiC陶瓷基复合材料电磁屏蔽性能使其在新一代军事电磁屏蔽材料中具有潜在的应用。
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