无线电电子学论文_抗辐射加固高压NMOS器件的单

文章目录

1 Introduction

2 Experimental detail

2.1 Simulation experiment

2.2 SEB experiment

3 Result and analysis

3.1 Simulation result and analysis

3.2 Device characteristic and analysis

3.3 SEB result and analysis

4 Conclusion

文章摘要:由于施加高栅极工作电压,使得器件容易发生重离子辐射损伤效应,其中,重大的重离子辐射损伤效应是单粒子栅穿效应（SEGR）和单粒子烧毁效应（SEB）。本文介绍了抗辐射加固高压SOI NMOS器件的单粒子烧毁效应。基于抗辐射加固版图和p型离子注入工艺,对高压器件进行抗辐射加固,提高器件的抗单粒子烧毁能力,并根据电路中器件的电特性规范,设计和选择关键器件参数。通过仿真和实验结果研究了单粒子烧毁效应。实验结果表明,抗辐射加固器件在单粒子辐照情况下,实现了24 V的高漏极工作电压,线性能量传输（LET）阈值为83.5 MeV·cm²/mg。

文章关键词:

论文分类号:TN386

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