材料科学论文_不同钝化工艺SiO_2薄膜的辐射缺

文章目录

0 引言

1 实验

2 结果与讨论

2.1 拉曼散射光谱

2.2 傅里叶红外光谱

2.3 X射线光电子能谱

3 结论

文章摘要:文摘为研究不同钝化工艺栅介质用SiO₂薄膜的高能电子辐射缺陷特征,采用能量为1 MeV的高能电子在辐照注量为1×10¹⁵e/cm²、5×10¹⁵e/cm²和1×10¹⁶e/cm²下对三种不同钝化工艺（Ⅰ,700 nm SiN+500 nm PSG;Ⅱ,1.2μm SiN;Ⅲ,700 nm PSG+500 nm SiN）的SiO₂薄膜进行了辐照试验。拉曼光谱和X射线光电子能谱结果表明Ⅰ和Ⅲ钝化工艺SiO₂薄膜形成了非晶硅及双氧根离子,傅立叶红外光谱结果表明Ⅰ钝化工艺SiO₂薄膜形成缺陷结构未知的A₁、A₂、B₁及B₂缺陷;Ⅱ钝化工艺SiO₂薄膜形成A₁、B₁、及B₁^’缺陷;Ⅲ钝化工艺SiO₂薄膜形成A₁、B₁^’及B₂缺陷。

文章关键词:

论文分类号:V46;TB383.2

上一篇：物理学论文_纳米晶体自组装结构中非辐射能量传
下一篇：没有了