《炬丰科技-半导体工艺》GaN 蓝绿光激光器的发展

来源：辐射研究与辐射工艺学报 【在线投稿】栏目：综合新闻时间：2021-08-25

图书：《巨峰科技-半导体技术》

文章：GaN蓝绿光激光器的发展

编号：JFKJ-21-313

作者：巨峰科技

？摘要

？氮化镓（GaN）基蓝光和绿光激光器应用于投影显示、激光加工、激光照明、存储等领域，具有重要的预应用和广泛的市场需求。本文重点介绍GaN基蓝绿边发射激光器的技术难点及相应解决方案。在GaN基蓝光和绿光激光器中，分别在制备高质量InGaN/GaN多量子阱、降低内部光损耗、提高空穴注入效率等方面分别介绍了一些结构和工艺方面的优化方法。简要介绍垂直腔面发射激光器（VCSEL）和分布反馈激光器（DFB）的研究现状。

关键词：半导体激光器；氮化镓；热降解；在隔离中；内部光损耗；载流子注入效率

简介

？半导体激光器是利用受激辐射原理的半导体发光器件。当驱动半导体激光器的电流大于阈值电流时，激光器产生激光。此时，从激光腔表面发出的光是单色性极好的激光。激光具有光谱半宽窄、光功率密度高、空间相关性好等特点，应用范围广泛。

边发射GaN基蓝绿激光器

？ GaN基蓝绿激光器面临的问题目前GaN基蓝绿激光器面临的问题主要集中在四个方面：如何制备高质量的InGaN/GaN多量子阱（MQW），如何降低内部光损耗，如何提高空穴注入效率，如何有效消除量子限制斯塔克效应（QCSE）的影响。